商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 200mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+135℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- XPEBWT-L1-0000-00CE2
- MVBLUEFOX3-M1012BC-2111
- 660-023B25S6-02
- SIT8208AC-3F-18E-66.600000X
- CMB1818-0000-000N0U0A27H
- VUC36-16GO2
- 120C-835D00
- 660-009N14F6-58
- SG-8018CE 69.2480M-TJHPA0
- SIT1602BC-82-18N-75.000000
- 25QHM572C0.125-6.780
- MDM-37PCBR-TL61-A174
- 1571422-1
- 2213430-1
- R6201430XXOO
- 660-012NF17S5-60
- DEUY9P
- ZSS-108-06-T-D-1015
- SIT1602BC-23-33N-8.192000
- AX7DAF1-312.5000C
- 11_N-50-3-13/113_UE