商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 7mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- MSASC150W60L/TR
- SIT8209AI-22-18E-125.000000
- BPSF00070728100M00
- 09664126601
- J1511CT110VAC1.2D
- SG-8018CG 9.123456M-TJHPA0
- 629W11W1140-4NB
- S5Q M3G
- FTLX3871MCC21-C
- PRT-10217
- MAX19005CCS+T
- M80-9060802
- MD1-15SL1
- D09P34A6GV00LF
- 620AA028NF22L
- 660-008NF12G8-00
- SIT8208AI-2F-18S-14.000000X
- 63574-1
- 09670029038
- GCM1885G1H620JA16J
- SIT8208AC-2F-28S-19.200000T