商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 超低 RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 极低杂散电感
- 开尔文源极,便于驱动
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 高度集成
- 优化导通和开关损耗
- 可直接安装到散热器(隔离封装)
- 低结到外壳热阻
- 功率和信号引脚均可焊接,便于 PCB 安装
- 薄型设计
- 由于 V\textCEsat 的正温度系数 TC,易于并联
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-太阳能转换器