商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 车身控制 DC-DC转换器
商品特性
-高性能推挽式射频封装。-高耐压和大安全工作区,坚固耐用。-低热阻。-符合RoHS标准
应用领域
-ISM和MRI功率放大器
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