商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 低成本共源射频封装
- 低阈值电压(Vth)温度系数
- 低热阻
- 优化的安全工作区(SOA),具备出色的耐用性
- 符合RoHS标准
- 输出功率:150 W
- 增益:13 dB(AB类)
- 效率:75%(C类)
应用领域
-科学领域射频功率放大器应用-商业领域射频功率放大器应用-医疗领域射频功率放大器应用-工业领域射频功率放大器应用
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