商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 400V | |
| 通态电流(It) | 20A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 25mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 2V | |
| 保持电流(Ih) | 50mA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 重复峰值断态电压（TJ = +100°C）：NTE5514为200V，NTE5515为400V，NTE5516为600V
- 重复峰值反向电压（TJ = +100°C）：NTE5514为200V，NTE5515为400V，NTE5516为600V
- 均方根通态电流（TC = +75°C）为20A
- 峰值浪涌（非重复）通态电流（一个周期，50Hz或60Hz）为200A
- 峰值门极触发电流（3μs最大值）为20A
- 峰值门极功率耗散（IGT ≤ IGTM，3μs最大值）为20W
- 平均门极功率耗散为0.5W
- 工作温度范围为 -40°C至 +150°C
- 储存温度范围为 -40°C至 +100°C
- 典型热阻，结到外壳为1.3°C/W
- S75005T-4.000-X-15-R
- BSC0303LSATMA1
- 2014442112
- 630-5W5-240-7T3
- SXO53C3C381-50.000M
- 620HS037NF21
- SIT8209AI-22-33E-124.990625
- SIT8208AC-G3-25E-16.368000Y
- XBDGRN-00-0000-000000C03
- 510ACAM100000AAG
- XQEAWT-H0-0000-00000LCE5
- 0641-1-2031
- 942-005MJ19PN
- MDM-51SBSM7-2-A174
- VS-8ETH03STRRHM3
- M80-6651642
- 122A10469X
- NTE2634
- MBR20150FCTE3/TU
- SG-8018CB 77.8850M-TJHPA0
- ASMFP30-1X2-YB