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NTE54001实物图
  • NTE54001商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTE54001

NTE54001

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品牌名称
NTE Electronics
商品型号
NTE54001
商品编号
C17645406
商品封装
TO-220​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶闸管(可控硅)/模块
可控硅类型1个单向可控硅
断态峰值电压(Vdrm)400V
通态电流(It)55A
通态峰值电压(Vtm)1.8V
属性参数值
门极触发电流(Igt)40mA
门极触发电压(Vgt)1.5V
保持电流(Ih)-
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

NTE54000至NTE54004是半波、单向、门控可控硅整流器(SCR),采用TO220封装,具有玻璃钝化结,以确保长期可靠性和周边稳定性。

商品特性

  • 高电压能力
  • 高浪涌能力
  • 玻璃钝化芯片
  • 绝对最大额定值:环境温度TA = +25°C,60Hz,阻性负载(除非另有说明)
  • 重复峰值断态电压VDRM:NTE54000为200V,NTE54001为400V,NTE54002为600V,NTE54003为800V,NTE54004为1000V
  • 重复峰值反向电压VRRM:NTE54000为200V,NTE54001为400V,NTE54002为600V,NTE54003为800V,NTE54004为1000V
  • 均方根通态电流IT(RMS)为55A
  • 通态电流IT(AV)为35A
  • 峰值浪涌(非重复)通态电流(多于一个完整周期):50Hz时为550A,60Hz时为650A
  • 峰值门极电流(最大10μs)IGM为4A
  • 峰值门极功率耗散(最大10μs)PGM为40W
  • 平均门极功率耗散PG(AV)为800mW
  • 峰值通态电压(在最大额定均方根电流,结温TC = +25°C时)VTM为1.8V
  • 熔断用均方根浪涌(非重复)通态电流(8.3ms)I²t为1750A²sec
  • 引脚温度(焊接期间,距外壳1/16英寸,最长10秒)TL为+230°C
  • 工作温度范围Toper为 -40°C至+125°C
  • 储存温度范围Tstg为 -40°C至+150°C
  • 典型热阻,结到外壳RthJC为0.5°C/W

数据手册PDF