BSC0303LSATMA1
1个N沟道 耐压:120V 电流:68A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0303LSATMA1
- 商品编号
- C17641380
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMLDM7484由互补的N沟道和P沟道增强型硅MOSFET组成，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻rDS(ON)和低阈值电压。
商品特性
- N沟道、逻辑电平
- 100%雪崩测试
- 出色的栅极电荷 x RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达150°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 适用于高频开关和同步整流
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
应用领域
- 负载/电源开关-电源转换电路-电池供电的便携式设备
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