ALD310704A/ALD310704高精度单片四P沟道MOSFET阵列采用成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。该器件有四通道版本,是EPAD匹配对MOSFET系列的成员。ALD310704A/ALD310704是广受欢迎的ALD110804A/ALD110804精密阈值器件的P沟道版本。这两个MOSFET系列共同实现了基于互补精密N沟道和P沟道MOSFET阵列的电路。
ALD310704A/ALD310704适用于低电压和低功率小信号应用,其特点是具有精确的 -0.40V栅极阈值电压,这使得能够设计出工作电压非常低的电路,例如使用 < +1.0V电源的电路,其中电路在ALD310704A/ALD310704的阈值电压以下工作。此特性还扩展了输入/输出信号的工作范围,特别是在极低工作电压环境中。使用这些低阈值精密器件,可以构建具有多个级联级的电路,使其在极低的电源或偏置电压水平下工作。
ALD310704A/ALD310704 MOSFET旨在实现器件电气特性的出色匹配。栅极阈值电压VGS(th)精确设置为 -0.40V ± 0.02V,典型失调电压仅为 ± 0.001V(1mV)。由于这些器件位于同一单片芯片上,它们还具有出色的温度跟踪特性。它们是广泛的精密模拟应用的通用设计组件,例如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。这些器件在有限工作电压应用中也表现出色,例如极低电平精密电压钳位。除了匹配对电气特性外,每个单独的MOSFET都具有良好控制的制造特性,使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。
这些器件旨在提供最小的失调电压和差分热响应,它们还可用于 -0.40V至 -8.0V(±0.20V至 ±4.0V)供电系统中的开关和放大应用,在这些系统中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性,其工作方式与标准增强型P沟道MOSFET相同。然而,栅极阈值电压的精度带来了两个关键的额外特性或操作特点。首先,在栅极阈值电压或低于栅极阈值电压(亚阈值区域)时,工作电流水平随栅极偏置电压呈指数变化。其次,电路可以在亚阈值区域以nA的偏置电流和nW的功耗进行偏置和工作。
