- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT40GP60B2DQ2G
APT40GP60B2DQ2G
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT40GP60B2DQ2G
- 商品编号
- C17632043
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 64ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低导通损耗
- 400V、41A时可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 400V、26A时可实现200kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具有安全工作区额定值
- CWN-300-50-0021
- 660-013M25S9-02
- 0917161505
- SIT8208AC-GF-25S-3.570000Y
- 629-2W2-250-4N1
- SG-8018CA 36.4800M-TJHSA0
- RC0603J361CS
- SIT1602AC-23-33S-24.576000
- S3J-E3/9AT
- M39029/17-172
- GCM0335C1H180GA16D
- 516-038-540-250
- AM043NDG01
- XG4A-2034
- 8-2232265-2
- 0498-0-15-80-35-84-04-0
- 32_MBX-50-0-19/133_NH
- SIT8008AC-12-18E-100.000000
- 89160-0103
- RCS1005F1963CS
- 3090-100J