APT68GA60B

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT68GA60B
商品编号: C17636610
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

功率MOS 8（圈）是一种高速穿通型开关模式IGBT。通过领先的硅设计和寿命控制工艺实现了低Eoff。与其他IGBT技术相比，降低的Eoff - VCE(ON)权衡带来了卓越的效率。低栅极电荷和大幅降低的Cres/Cies比率提供了出色的抗噪能力、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关期间控制di/dt，即使在高频开关时也能实现低EMI。

商品特性

快速开关且低EMI
极低的Eoff以实现最大效率
超低的Cres以提高抗噪能力
低传导损耗
低栅极电荷
增加本征栅极电阻以实现低EMI
符合RoHS标准

应用领域

ZVS移相和其他全桥、半桥、高功率PFC升压、焊接、UPS、太阳能和其他逆变器、高频高效工业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	PT(穿通型)
	耗散功率(Pd)	520W
	集射极击穿电压(Vces)	600V
	集电极电流(Ic)	121A

	属性	参数值
	栅极阈值电压(Vge(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	-
	开启延迟时间(Td(on))	21ns
	关断延迟时间(Td(off))	133ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)