ALD810025SCLI
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.52V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 超结技术
- 高性能，低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积优值（FOM）
- 高耐用性
- 100%进行非钳位感性负载开关（UIS）和栅极电阻Rg测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU和WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准，无卤素
应用领域
- 电源-交流/直流LED照明
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