ALD212900SAL
2个N沟道 耐压:10.6V 电流:80mA
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- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD212900SAL
- 商品编号
- C17638641
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@5V,0.1V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 20mV@20uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
~~- 全新革命性高压技术-超低栅极电荷-具备周期性雪崩额定值-具备极高dv/dt额定值-高峰值电流能力-改进的跨导-针对目标应用通过JEDEC认证
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