商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 173A | |
| 耗散功率(Pd) | 745W |
商品概述
MSCSM120HM16T3AG器件是一款全桥1200V、173A碳化硅(SiC)功率模块。所有额定值在结温(Tj)为25°C时给出,除非另有说明。所有多个输入和输出必须短接在一起,例如13/14、29/30、22/23等。这些器件对静电放电敏感,必须遵循正确的处理程序。
商品特性
- SiC功率MOSFET – 低导通电阻(RDS(on)),具备高温性能
- 极低的杂散电感
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 采用氮化铝(AlN)基板以提高热性能
应用领域
- 不间断电源
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 电动汽车电机和牵引驱动
- M83723/60-116AR
- VS701813
- SIT8208AI-83-33E-32.980000
- SG-8018CE 38.5505M-TJHPA0
- GCM033R71E471KA03J
- SIT9365AC-1E3-25E106.250000
- SIT8208AI-8F-25E-66.660000Y
- 637V4003C2T
- 1450800000
- 19-0625-31
- MR3A16AYS35
- HF1008-102F
- PCHC1245HPV-2R2M
- FN5500011
- SIT1602BC-81-30S-62.500000
- 1040911020
- SIT1602BC-22-25S-66.600000
- UPR5E3/TR7
- TOLC-135-22-F-Q
- 3QHM53C0.5-66.6666
- ALD310704PCL

