商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW |
商品特性
- 功率MOS 7（上划线）MOSFETs
- 低导通电阻RDSon
- 低输入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 非常坚固
- 并联碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关行为与温度无关
- 正向电压VF具有正温度系数
- 开尔文源便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
- 高度集成
- 高频运行时性能出色
- 可直接安装到散热器（隔离封装）
- 低结到外壳热阻
- 薄型，符合RoHS标准
应用领域
电机控制、开关模式电源、不间断电源
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