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NCV57256DR2G
隔离双通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV57256DR2G
- 商品编号
- C17636103
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；半桥；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3.5A | |
| 拉电流(IOH) | 3.5A | |
| 工作电压 | 3.3V~20V | |
| 上升时间(tr) | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；短路保护(SCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - |
应用领域
- 电动车充电器
- 电机控制
- 不间断电源 (UPS)
- 工业电源供应器
- 太阳能逆变器
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