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APT45GP120BG
APT45GP120BG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT45GP120BG
- 商品编号
- C17613939
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.633333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 170A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V；3.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,45A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.935nF | |
| 输出电容(Coes) | 300pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 55pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 102ns | |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ；900uJ；1.869mJ；3.078mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.254mJ；904uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 100kHz工作频率，800V、16A
- 低栅极电荷
- 50kHz工作频率，800V、28A
- 超快尾电流关断
- 具备RBSOA额定值
- DC818A
- QEDB102Q820F1GV001E
- VTC100-680K-RC
- SG-8018CA 30.3000M-TJHSA0
- 2100HT-220-V-RC
- SG-8018CE 124.4120M-TJHPA0
- SDUR6020W
- 637P50B2I3T
- XPGDWT-B1-0000-00NE4
- 0438100059
- SG-8018CG 154.0000M-TJHPA0
- 516-020-520-222
- SG-8018CB 168.0000M-TJHPA0
- 172-050-103R031
- TFM-105-01-S-D-RA
- ESMC-M-26-SGS-SMT-A-PP-T/R
- SIT8208AI-G1-28S-77.760000X
- RS2KA R3G
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