- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT65GP60J
APT65GP60J
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT65GP60J
- 商品编号
- C17614200
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 431W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 130A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 250A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V；2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3V；6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.4nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 580pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 128ns；91ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.925mJ；605uJ；1.408mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 896uJ；1.47mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT 是新一代高压功率 IGBT。该 IGBT 采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 400V、33A 时可实现 100 kHz 运行
- 低栅极电荷
- 400V、47A 时可实现 50 kHz 运行
- 超快尾电流关断
- 具有安全工作区（SSOA）额定值
- BLU1206-4021-BT25W
- TFM-110-22-S-D-A-K-TR
- TFML-115-02-L-D-SN-P-TR
- SG-8018CA 137.4720M-TJHPA0
- BLU0603-6810-BT25W
- 570BCA002400DGR
- S4012VTP
- 5022R-364G
- SPHWH1L5N405XEV3A1
- SG-8018CA 18.2700M-TJHSA0
- SIT8208AI-GF-18E-60.000000T
- 0430452406
- SPCM-900-31-FC
- XB7NA23
- NTHS0603N01N5002JE
- K85X-CA-37P-R30
- GCM3195G2A122GA16J
- SIT8208AI-2F-28S-62.500000T
- F-3152XP
- VCDM1027B003L
- 2069524-1