APTGT100DA60T1G
APTGT100DA60T1G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTGT100DA60T1G
- 商品编号
- C17617917
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 340W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.1nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 390pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 190pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 115ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 225ns | |
| 导通损耗(Eon) | 400uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 125ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
VCES = 600V,IC = 100A(在Tc = 80°C时),引脚1/2、3/4、5/6必须短接在一起。IGBT器件规格,但输出电流必须限制在75A,以确保连接器的温度变化不超过30°C。
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT3技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20kHz
- 软恢复并联二极管
- 低二极管正向电压
- 低泄漏电流
- RBSOA和SCSOA额定
- 极低的杂散电感
- 用于温度监测的内部热敏电阻
- 高度集成
应用领域
交流和直流电机控制、开关模式电源、功率因数校正
- 0328-0-15-80-34-27-10-0
- HTST-107-04-S-D-RA
- SIT1602BC-22-XXE-33.333300
- SG-8018CE 31.8750M-TJHSA0
- BPSD00060530120M00
- 68648-017LF
- F36-350
- SPHWHTL3DA0EF4RTU6
- D52S25A
- 653P74A5C3T
- 154719-6
- BLU0603-1911-BT25W
- 5962424013F
- SG-8018CA 1.3400M-TJHPA0
- DF1BZ-36DP-2.5DSA
- NTCLE100E3202GB0
- PS2381-1Y-F3-W-AX
- SIT2001BC-S1-33N-24.567000
- GCM2195G2A911GA16D
- SG-8018CG 6.0052M-TJHPA0
- RM062PJ183CS

