- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT40GP60JDQ2
APT40GP60JDQ2
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT40GP60JDQ2
- 商品编号
- C17621756
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 284W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 86A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V；2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.61nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 395pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 25pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 64ns；90ns | |
| 导通损耗(Eon) | 385uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 125ns；21ns；60ns；105ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 400V、25A时可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 400V、16A时可实现200kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具有安全工作区（SSOA）额定值
- 621-037-368-550
- 630-3WK3240-7N6
- RC0402F2613CS
- TST-120-05-S-D-RA-20
- 0347082000
- SG-8018CA 49.2480M-TJHSA0
- 3QHM572D2.0-27.142
- PX0598/30/63
- SIT8208AC-82-28S-54.000000
- 0532611427
- SG-8018CG 18.5600M-TJHPA0
- 166D20
- 1-1740533-6
- 630-27W2240-2ND
- 1-103653-6
- GCM1555C1H821JA16J
- 5530132805F
- 09551566619741
- EVAL6393FB
- GCM1555G1H9R2CA16D
- PR2-R75-JBW