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APTGTQ100DA65T1G引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APTGTQ100DA65T1G

APTGTQ100DA65T1G

商品型号
APTGTQ100DA65T1G
商品编号
C17625969
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)250W
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)100A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))-
栅极阈值电压(Vge(th))-
栅极电荷量(Qg)240nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)6nF@25V
输出电容(Coes)100pF
反向传输电容(Cres)22pF
开启延迟时间(Td(on))15ns;21ns
关断延迟时间(Td(off))18ns;26ns
导通损耗(Eon)1.5mJ
关断损耗(Eoff)600uJ
反向恢复时间(Trr)62ns;46ns
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • 低压降
  • 低尾电流
  • 开关频率高达100 kHz
  • 低泄漏电流
  • 极低的杂散电感
  • 内置用于温度监测的热敏电阻

应用领域

  • 交流和直流电机控制
  • 开关模式电源
  • 功率因数校正

数据手册PDF