- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT35GP120BG
APT35GP120BG
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT35GP120BG
- 商品编号
- C17627160
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 96A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,35A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 94ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT 是新一代高压功率 IGBT。该 IGBT 使用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 800V、14A 条件下 100kHz 运行
- 低栅极电荷
- 800V、25A 条件下 50kHz 运行
- 超快尾电流关断
- 具备反向偏置安全工作区（RBSOA）额定值
- SIT8208AI-3F-28E-40.500000T
- 656L15003C3T
- 103R-273JS
- T2M-130-01-L-D-SM-WT-K-TR
- NTE5995
- 513EAA000644AAGR
- 3352V-1-200LF
- SIT9365AC-2B2-28E160.000000
- 2-2029160-0
- 629-009-240-045
- GCM1555C1H361GA16D
- DAMZ-15S-N-A197
- 0136-0-15-01-30-14-04-0
- 3QHM572C0.5-38.7072
- 2059570371
- 0348975121
- SIT8008AI-82-33E-3.072000
- 0705670110
- SIT8208AI-8F-18S-66.666000X
- XTEAWT-00-0000-00000LCE6
- CIRBH16S1GACF80