商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 200mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 2.6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+135℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- 514CAA002239CAG
- SIT8208AI-82-18S-66.000000
- R6011825XXYA
- 1200106
- SIT9003AC-83-33DB-23.00000
- L-5000-F2-CT
- 226F
- T2020012010-000
- 514ABB000136BAG
- 660-009B10N-102
- SIT8208AC-83-25S-77.760000
- SIT8208AC-33-18S-38.400000
- 22_SMA-50-0-4/111_NH
- 25QHM53C1.5-48.750
- 747080-2
- VS-VSKT41/04
- 6135.0140.0410
- AT06-4S-OMBRN
- IPD1-12-D-R
- SIT1602AC-12-18E-54.000000
- SIT8208AI-82-28E-74.250000