商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 3.5V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 30mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- 622-009-368-033
- SIT8008BCA13-33S-22.579200
- MDM-37PBSM7-A174
- SIT9365AC-1B2-25E122.880000
- 566-004-000-711
- 1130-392K-RC
- MDM-15PBSP-7
- 6-6609930-0
- 3-640480-2
- BLC2021-AL-USB-GW
- 630-037-340-013
- 1731100356
- JC25-02HG
- 0390-0-15-01-08-01-10-0
- 4650-7305
- 3-2842305-4
- 629-M09-240-GT4
- 570FAB000107DGR
- A170D
- XPEBWT-L1-0000-00BE7
- 629-24W7250-3N2