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AS4C128M8D2A-25BINTR

128M x 8 bit DDRII同步动态随机存取存储器

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品牌名称: Alliance Memory
商品型号: AS4C128M8D2A-25BINTR
商品编号: C17595917
商品封装: FBGA-60(8x10)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.366克(g)

商品参数

商品概述

AS4C128M8D2A是一款高速CMOS双数据速率二代（DDR2）同步动态随机存取存储器（SDRAM），具有1024 Mbit容量，采用8位宽数据输入/输出接口。其内部配置为8个存储体的DRAM，即8个存储体×16Mb地址×8个输入/输出接口。该器件设计符合DDR2 DRAM的关键特性，如带附加延迟的后置列地址选通（CAS#）、写延迟 = 读延迟 - 1、片外驱动器（OCD）阻抗调整和片上终端（ODT）。所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿和CK#下降沿）锁存。所有输入/输出接口与一对双向选通信号（DQS和DQS#）以源同步方式同步。地址总线用于以行地址选通（RAS#）、列地址选通（CAS#）复用方式传输行、列和存储体地址信息。访问从激活存储体命令的注册开始，随后是读或写命令。对DDR2 SDRAM的读写访问以4位或8位突发方式进行；访问从选定位置开始，并按编程顺序持续进行编程数量的位置。以交错方式操作8个存储体可实现比标准DRAM更高的随机访问速率。可启用自动预充电功能，以在突发序列结束时启动自定时行预充电。根据突发长度、列地址选通延迟和器件速度等级，可实现连续无间隙的数据速率。在正常操作之前，DDR2 SDRAM必须进行初始化。以下部分提供了有关器件初始化、寄存器定义、命令描述和器件操作的详细信息。DDR2 SDRAM必须以预定义的方式上电和初始化。未按指定的操作程序可能导致未定义的操作。上电和初始化需要以下顺序：1. 施加电源，并尝试将时钟使能（CKE）保持在0.2×VDDQ以下，且片上终端（ODT）处于低电平状态（所有其他输入可以是未定义的）。VDD电压斜坡时间从VDD从300mV上升到VDD最小值时起不得超过200ms；并且在VDD电压斜坡期间，|VDD - VDDQ| ≤ 0.3V。VDD、VDDL和VDDQ由单个电源转换器输出驱动；VTT限制在最大0.95V；VREF跟踪VDDQ / 2。或者，在施加VDD的同时或之前施加VDD。

商品特性

符合JEDEC标准
JEDEC标准1.8V输入/输出接口（与SSTL_18兼容）
电源：VDD和VDDQ = +1.8V ± 0.1V
工作温度：TC = 0 ~ 85°C（商业级）；TC = -40 ~ 95°C（工业级）
支持JEDEC时钟抖动规范
完全同步操作
快速时钟速率：400MHz
差分时钟，CK和CK#
双向单/差分数据选通
8个内部存储体用于并发操作
4位预取架构
内部流水线架构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
后置列地址选通（CAS#）附加延迟（AL）：0、1、2、3、4、5、6
写延迟 = 读延迟 - 1个时钟周期（tCK）
突发长度：4或8
突发类型：顺序/交错
延迟锁定环（DLL）启用/禁用
片外驱动器（OCD）
阻抗调整
可调数据输出驱动强度
片上终端（ODT）
符合RoHS标准
自动刷新和自刷新
每64ms 8192个刷新周期
平均刷新周期：7.8μs（-40°C ≤ TC ≤ +85°C）；3.9μs（+85°C < TC ≤ +95°C）
60球8×10×1.2mm（最大）细间距球栅阵列（FBGA）封装
无铅和无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR2 SDRAM
	时钟频率(fc)	400MHz
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.7V~1.9V

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能