IS43LR32640B-6BLI
2Gb 移动型 DDR SDRAM
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- 描述
- IS43/46LR16128B/32640B 是 2,147,483,648 位 CMOS 移动双倍数据速率同步 DRAM,组织为 4 个 128 兆字的 16 位或 64 兆字的 32 位bank。该产品使用双数据率架构实现高速操作,数据输入/输出信号在 16 位或 32 位总线上传输。双数据率架构本质上是一个 2V 预取架构,参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部流水线化,2n 位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS43LR32640B-6BLI
- 商品编号
- C17595938
- 商品封装
- TFBGA-90(8x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.8V | |
| 工作电流 | 90mA | |
| 刷新电流 | 3.5mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
- IS43R86400D-5TLI-TR
- IS43LR32320B-6BL-TR
- IS46TR16640CL-107MBLA2-TR
- IS46QR16512A-075VBLA2-TR
- SI5338A-B07712-GM
- AS4C256M8D3LC-12BCN
- SI5338P-B11617-GMR
- AS4C256M8D3LC-12BCNTR
- AS4C1G8D4-75BINTR
- 0431782001
- 627-11W1222-2NA
- VS-42HF140
- SIT1602BC-13-30E-40.500000
- 09195106322
- VPH3-0780-R
- 570BAC000124DGR
- FP12-200-B
- SIT8208AI-8F-33E-80.000000Y
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- DE2SGD
- 175-R20-JTW

