- 引脚图
- 焊盘图
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SQJ980AEP-T1_BE3
2个N沟道 耐压:75V 电流:17A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ980AEP-T1_BE3
- 商品编号
- C17588639
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感应开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准且无卤素
- N沟道MOSFET
- RK102PJ123CS
- RC0603F2323CS
- SG-8018CG 49.3767M-TJHPA0
- 0436500720
- EL1012(TA)-G
- 626P74A4I2T
- SG-8018CG 33.2000M-TJHSA0
- SIT8208AI-8F-25S-4.000000Y
- 628-M25-323-BT4
- 2N4858A
- SIT9365AI-4E2-28N75.000000
- GBED204-1079B001C1AD
- SG-8018CB 19.4000M-TJHSA0
- SPMWH1229AQ7SGU0SA
- MP-1616-2100-27-90
- XTEAWT-00-0000-00000LAE8
- 549BCCA002151CCG
- 0469990017
- RC1005F3093CS
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- SIT8208AC-G2-33S-33.333330X