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SQJQ904E-T1_GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ904E-T1_GE3
- 商品编号
- C17593162
- 商品封装
- PowerPAK8x8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.319333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.3nF |
商品概述
2SC5585和2SK3019采用独立的EMT6封装。
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- 电源管理电路
- MUBW15-12A6K
- 630-21W1640-1NC
- TFC-125-12-F-D-A-K
- VTFT035FXFT01
- XG4A-1039-A
- SG-8018CE 42.8400M-TJHSA0
- SBH51-LPSE-D18-SM-BK
- SG-8018CG 10.0413M-TJHPA0
- 629-7W2-650-4N6
- XPEBWT-H1-0000-00EE6
- SIT8208AI-G3-33S-33.000000T
- 628-3W3-224-3N5
- ELSH-F91Y3-0LPNM-BA3A5
- 0878336320
- S1PMHM3/85A
- K61X-E15S-N
- M80-8410642
- RC0603F24R3CS
- SIT8208AI-2F-33S-35.840000X
- 1-293491-3
- S-8424BAAFT-TBG