温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJQ910EL-T1_GE3
2个N沟道 耐压:100V 电流:70A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试。 完全无铅器件
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ910EL-T1_GE3
- 商品编号
- C17592016
- 商品封装
- PowerPAK8x8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.832nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 799pF |
商品概述
- 最新沟槽功率 AlphaMOS（αMOS LV）技术
- 在 2.5 V VGS条件下具有极低的 RDS(on)
- 低栅极电荷
- ESD 保护
- 符合 RoHS 标准且无卤
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 完全无铅(Pb)器件
应用领域
- DC/DC 转换器
- MLEAWT-A1-0000-0003F5
- BLU0805-2670-BT25W
- 627-3W3-624-4T2
- SPMWH1228MD7WAWMVL
- CTHSC1008F-R22K
- 2450LP14B0100001T
- 164A19069X
- RCS1608F8252CS
- SG-8018CB 50.6880M-TJHPA0
- QSCT251Q1R4B1GV001E
- PE30M0FP105MAB
- MLEAWT-A1-0000-0002A5
- FN9233ES-3-06
- XPGBWT-U1-0000-00FF8
- SPHWHAHDNC25YZU3D2
- TFC-150-02-F-D-A-K
- TPS3808G01DBVEVM
- 197A25
- XD16AWT-P2-0000-00000HG5E
- DMTH4014LDVW-7
- 626-009-362-035