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SQJQ910EL-T1_GE3
2个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试。 完全无铅器件
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ910EL-T1_GE3
- 商品编号
- C17592016
- 商品封装
- PowerPAK8x8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.832nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 799pF |
商品概述
- 最新沟槽功率 AlphaMOS（αMOS LV）技术
- 在 2.5 V VGS条件下具有极低的 RDS(on)
- 低栅极电荷
- ESD 保护
- 符合 RoHS 标准且无卤
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 完全无铅(Pb)器件
应用领域
- DC/DC 转换器
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