- 引脚图
- 焊盘图
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APT64GA90LD30
APT64GA90LD30
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT64GA90LD30
- 商品编号
- C17587203
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 900V | |
| 集电极电流(Ic) | 64A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 193A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V；2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.525nF | |
| 输出电容(Coes) | 318pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 53pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns；17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 131ns；181ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.192mJ；1.857mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.088mJ；2.311mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 295ns；330ns；150ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
- 664-009-664-053
- BPDH00040412220T00
- 621-M09-260-WN3
- 0878320822
- GCM1885C2A360FA16D
- EHT-115-01-S-D-SM-SR
- TFML-120-01-S-D-A
- XPGDWT-BS-0000-00LE2
- HFZ 1608PF-471T20
- MIL1812R-392J
- 637-W44-322-012
- SG-8018CG 16.0028M-TJHPA0
- L130-5770003000W25
- SG-8018CG 54.4800M-TJHSA0
- SSM6L36TU,LF
- SG-8018CG 125.0100M-TJHPA0
- MIL1330-72K
- DD26M20WES/AA
- 627-13W3222-3N1
- S52505T-6.000-X-R
- F1T7G