SSM6L36TU,LF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:330mA 电流:500mA
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6L36TU,LF
- 商品编号
- C17587219
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@5V；1.31Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 1.5V驱动
- 低导通电阻
- Q1 N沟道:Ron = 1.52 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
- Ron = 1.14 Ω(最大值)(@VGS = 1.8 V)
- Ron = 0.85 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V)
- Ron = 0.66 Ω(最大值)(@VGS = 4.5 V)
- Ron = 0.63 Ω(最大值)(@VGS = 5.0 V)
- Q2 P沟道:Ron = 3.60 Ω(最大值)(α)
- Ron = 2.70 Ω(最大值)(@VGS = -1.8 V)
- Ron = 1.60 Ω(最大值)(@VGS = -2.8 V)
- Ron = 1.31 Ω(最大值)(@VGS = -4.5 V)
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