APT36GA60B

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT36GA60B
商品编号: C17590210
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

POWER MOS 8（上划线）是一种高速穿通型开关模式 IGBT。通过领先的硅设计和寿命控制工艺，实现了低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低 Eoff - VCE(ON) 的权衡结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大幅降低的 Cres/Cies 比值提供了出色的抗噪能力、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。

商品特性

快速开关且低 EMI
极低的 Eoff，实现最大效率
超低的 Cres，提高抗噪能力
低传导损耗
低栅极电荷
增加本征栅极电阻以降低 EMI
符合 RoHS 标准

应用领域

ZVS 移相和其他全桥电路
半桥电路
高功率 PFC 升压电路
焊接
UPS、太阳能和其他逆变器
高频、高效工业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	PT(穿通型)
	耗散功率(Pd)	290W
	集射极击穿电压(Vces)	600V
	集电极电流(Ic)	65A

	属性	参数值
	栅极阈值电压(Vge(th))	2.5V@15V,20A
	栅极电荷量(Qg)	102nC
	开启延迟时间(Td(on))	16ns
	关断延迟时间(Td(off))	122ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)