APT64GA90B

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT64GA90B
商品编号: C17593561
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

POWER MOS 8（圈）是一种高速穿通型开关模式 IGBT。通过领先的硅设计和寿命控制工艺实现低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低 Eoff - VCE(ON) 的权衡结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大幅降低的 Cres/Cies 比值提供了出色的抗噪能力、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。

商品特性

快速开关且低 EMI
极低的 Eoff 以实现最大效率
超低的 Cres 以提高抗噪能力
低传导损耗
低栅极电荷
增加本征栅极电阻以实现低 EMI
符合 RoHS 标准

应用领域

ZVS 移相和其他全桥、半桥、高功率 PFC 升压、焊接、UPS、太阳能和其他逆变器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	PT(穿通型)
	耗散功率(Pd)	500W
	集射极击穿电压(Vces)	900V
	集电极电流(Ic)	117A

	属性	参数值
	栅极阈值电压(Vge(th))	3.1V@15V,38A
	栅极电荷量(Qg)	162nC
	开启延迟时间(Td(on))	18ns
	关断延迟时间(Td(off))	131ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)