APTGT150DH170G

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APTGT150DH170G
商品编号: C17597700
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

APTGT150DH170G是一款采用不对称桥式结构、结合沟槽与场截止技术的IGBT3功率模块。其集电极-发射极电压为1700V，在80℃壳温下集电极电流为150A。该模块采用沟槽与场截止IGBT3技术，具备低导通压降、低拖尾电流特性，开关频率可达20kHz。其并联二极管具有软恢复特性，正向压降低且漏电流小。模块具备额定反向偏置安全工作区和短路安全工作区能力，采用开尔文发射极设计便于驱动，杂散电感极低。对称设计配合M5功率连接器，集成度高。模块温度特性稳定，坚固耐用，可直接安装至散热器（绝缘封装），结壳热阻低。由于集电极-发射极饱和电压具有正温度系数，易于并联使用。模块外形低矮，符合RoHS标准。

商品特性

采用沟槽与场截止IGBT3技术
低导通压降
低拖尾电流
开关频率最高可达20 kHz
并联二极管具有软恢复特性
二极管正向压降低
二极管漏电流低
具备额定反向偏置安全工作区和短路安全工作区
采用开尔文发射极，便于驱动
杂散电感极低
对称设计
M5功率连接器
集成度高
温度特性稳定
坚固耐用
可直接安装至散热器（绝缘封装）
结壳热阻低
由于集电极-发射极饱和电压具有正温度系数，易于并联
外形低矮
符合RoHS标准

应用领域

焊接电源
开关模式电源
开关磁阻电机驱动

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	FS(场截止)
	耗散功率(Pd)	890W
	集射极击穿电压(Vces)	1.7kV

	属性	参数值
	集电极电流(Ic)	250A
	栅极阈值电压(Vge(th))	2.4V@15V,150A
	输入电容(Cies)	13.5nF@25V
	工作温度	-