APT44GA60BD30
APT44GA60BD30
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT44GA60BD30
- 商品编号
- C17586830
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 337W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 78A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 84ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 8（上划线）是一种高速穿通型开关模式 IGBT。通过领先的硅设计和寿命控制工艺实现了低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低 Eoff - VCE(ON) 的权衡结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大幅降低的 Cres/Cies 比率提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。
商品特性
- 快速开关且低 EMI
- 极低的 Eoff，实现最大效率
- 超低的 Cres，提高抗噪性
- 低传导损耗
- 低栅极电荷
- 增加本征栅极电阻以降低 EMI
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- ZVS 移相和其他全桥电路
- 半桥电路
- 高功率 PFC 升压电路
- 焊接
- UPS、太阳能和其他逆变器
- 高频、高效工业应用