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DMTH6015LDVWQ-7
2个N沟道 耐压:60V 电流:9.2A 电流:24.5A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6015LDVWQ-7
- 商品编号
- C17584422
- 商品封装
- PowerDI3333-8(TYPEUxD)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 244pF |
商品特性
- 复合类型，在一个封装中包含一个P沟道硅MOSFET（MCH3317）和一个肖特基势垒二极管（SBS007M），便于高密度安装。
- [MOS]
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 1.8V驱动。
- [SBD]
- 短反向恢复时间。
- 低正向电压。