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DMC25D0UVT-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:25V 耐压:30V 电流:400mA 电流:3.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC25D0UVT-13
- 商品编号
- C17586418
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 854pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- N沟道栅极具备ESD保护（人体模型>6kV）
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-负载开关