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ZXMN10B08E6QTA
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN10B08E6QTA
- 商品编号
- C17588080
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V,1.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 497pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款107 W非对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为覆盖720至960 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
~~- 先进的高性能封装内Doherty技术-更宽的负栅源电压范围,改善C类工作状态-专为数字预失真误差校正系统设计
应用领域
- 蜂窝基站