商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@2.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 715pF |
商品特性
- 当VGS为 -4.5V、ID为 -4.2A时，RDS(ON) < 52mΩ
- 当VGS为 -2.5V、ID为 -3.3A时，RDS(ON) < 62mΩ
- 当VGS为 -1.8V、ID为 -2.2A时，RDS(ON) < 73mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特别设计
- 具备ESD保护
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤）