商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 715pF |
商品特性
- 功率MOS 7个MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 并联碳化硅(SiC)肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性与温度无关
- 正向电压(VF)具有正温度系数
- 开尔文源极便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于功率连接的引线框架
- 内置热敏电阻用于温度监控
- 高度集成
应用领域
-电机控制-开关模式电源-不间断电源
- 712-83-147-41-001101
- IFSC1515AHER8R2M01
- 9324-0-15-80-23-27-04-0
- GP55-7680-FBW
- GCM31M5C1H513GA16K
- 09060009909
- MPXV1D1054L150
- DSC1121CI2-012.0000
- PE30LBFG472JAB
- SIT8209AC-21-25S-133.333330
- SI82398CD4-IS3R
- 8-102398-0
- CE3390-155.520
- 630-24W7240-2T1
- 1722584108
- XREWHT-L1-0000-00CF4
- MBG30S1
- SIT9365AC-2B1-30E200.000000
- NTE5898
- XMLBEZ-00-0000-0B00U630H
- S4215

