商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W |
商品概述
第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK 封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料提供了高隔离能力，以及引脚与外部散热器之间的低热阻。这种隔离效果相当于在标准 TO - 220 产品中使用 100 微米的云母屏障。FULLPAK 封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 低成本共源射频封装。
- 低Vth热系数。
- 低热阻。
- 优化的安全工作区,具备出色的耐用性。
应用领域
- 科学领域射频功率放大器应用
- 商业领域射频功率放大器应用
- 医疗领域射频功率放大器应用
- 工业领域射频功率放大器应用