商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 495A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.36uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.9nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 15.7nF |
商品特性
- 功率MOS V型MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,易于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5功率连接器
- 高度集成
应用领域
-交流开关-开关模式电源-不间断电源