- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC67D8UFDB-13
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 390mA；2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V；51mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 580mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；1.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC；0.4pC | |
| 输入电容(Ciss) | 443pF；41pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF；2.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF；4.4pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V；±12V |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:
- 负载开关 静电放电(ESD)保护
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-薄型设计,最大高度0.6mm-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准-具备PPAP能力
应用领域
-负载开关
- H11A817BW
- SSM6N815R,LF
- 25QHM53C0.125-35.000
- 342-10-129-00-591000
- SIT8209AC-33-25S-156.253906
- P160-152JS
- CWX815-20.0M
- 0394-0-15-80-07-80-10-0
- K61X-E15S-NJ30VESA
- 660-008NF22F6-68
- 66F040-0180
- 103R-223H
- MZT8-2V6PSAKP0
- M80-5300422
- SIT8008BC-83-33N-9.800000
- SG-8018CB 26.2144M-TJHSA0
- SIT1602BC-83-28S-6.000000
- CBD24W7M20000
- M24308/23-52Z
- BPDR00060620150M00
- SIT8208AC-8F-33E-3.570000Y