SSM6N815R,LF
2个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- 特性:4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 115 mΩ(典型值)(VGS = 4.0V)。RDS(ON) = 101 mΩ(典型值)(VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 84 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N815R,LF
- 商品编号
- C17538489
- 商品封装
- TSOP-6F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
商品特性
- 4.0V驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 115 mΩ(典型值)(@ VGS = 4.0V)
- RDS(ON) = 101 mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5V)
- RDS(ON) = 84 mΩ(典型值)(@ VGS = 10V)
应用领域
- 电源管理开关
- 25QHM53C0.125-35.000
- 342-10-129-00-591000
- SIT8209AC-33-25S-156.253906
- P160-152JS
- CWX815-20.0M
- 0394-0-15-80-07-80-10-0
- K61X-E15S-NJ30VESA
- 660-008NF22F6-68
- 66F040-0180
- 103R-223H
- MZT8-2V6PSAKP0
- M80-5300422
- SIT8008BC-83-33N-9.800000
- SG-8018CB 26.2144M-TJHSA0
- SIT1602BC-83-28S-6.000000
- CBD24W7M20000
- M24308/23-52Z
- 634-044-263-040
- BPDR00060620150M00
- SIT8208AC-8F-33E-3.570000Y
- GCM3195C1J133JA16J


