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SSM6N815R,LF
2个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- 特性：4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 115 mΩ（典型值）(VGS = 4.0V)。RDS(ON) = 101 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N815R,LF
- 商品编号
- C17538489
- 商品封装
- TSOP-6F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@0.1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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