- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC3071LVT-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:4.6A 电流:3.3A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC3071LVT-13
- 商品编号
- C17543297
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 254pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(ON) ,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 4.0V驱动
- 低漏源导通电阻：
- RDS(ON) = 115 mΩ（典型值）（@ VGS = 4.0V）
- RDS(ON) = 101 mΩ（典型值）（@ VGS = 4.5V）
- RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）（@ VGS = 10V）
应用领域
-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能
- MC2204G
- SHF-106-01-L-D-SM-LC
- 626P156J6C3T
- CTCDRH104F-120M
- SIT8208AC-8F-25E-16.368000X
- DS2478ATB/VY+
- MS27510B24CL
- 5022R-682H
- 4445R-13J
- QSCP251Q220J1GV001T
- 40806K
- BDJ0650HFV-TR
- DT04-12PA-BE03
- FGG.1B.130.LC
- SIT1602BC-22-33E-40.000000
- STMM-125-02-G-D-SM-04
- HTSS-110-05-G-D-RA
- 25QHM572D0.25-66.66667
- EE-SX3162-P2
- ZSS-112-09-L-D-1240
- 189-009-613R481