- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN61D9UDWQ-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:318mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN61D9UDWQ-13
- 商品编号
- C17538361
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 318mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 440mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:电机控制、电源管理功能
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电机控制-电源管理功能
- SIT8208AI-31-25E-20.000000
- D89136-0101HK
- 660-024NF23S5-112
- DDMM50SCA197
- SG-8018CG 40.0780M-TJHSA0
- 284098-1
- VS-ST1000C16K1
- RCS1005F104CS
- DD15M3200T0/AA
- 550T003M1R7A0F03
- 6MMOD-2MMID-1183-500
- BPDR00070730330M00
- 151-10-320-00-004101
- LRW0805WGR12GG001E
- R280755000
- L128-5780CA3500003
- BKT-155-03-L-V-S
- 917724-4
- SG-8018CG 54.032140M-TJHSA0
- 5104340-3
- 2165713003