商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.367nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 894pF |
商品概述
ALD210804精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些四通道单片器件是ALD110804 EPAD MOSFET系列的增强版本，具有更高的正向跨导和输出电导，特别是在非常低的电源电压下。 ALD210804适用于低电压、低功耗小信号应用，具有精确的阈值电压，可在增强的工作电压范围内实现输入/输出信号以地为参考的电路设计。使用这些器件，可以构建多级级联电路，使其在极低的电源/偏置电压水平下工作。 ALD210804 EPAD MOSFET的栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.40V ± 0.020V（IDS = +10μA，VDS = 0.10V），典型失调电压仅为± 0.002V（2mV），具有出色的配对电气特性。它们采用单芯片制造，还具有优异的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛，适用于各种模拟小信号应用，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色，如极低电平电压钳位和微功耗常开电路。 除了精密配对的电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好的制造特性控制，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件的失调电压和差分热响应极小，可用于+0.1V至+10V（±0.05V至±5V）供电系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > +0.40V时，器件呈现增强型特性；当VGS < +0.40V时，器件在亚阈值电压区域工作，呈现传统的亚阈值特性，关断和亚阈值电平控制良好，与标准增强型MOSFET的工作方式相同。 ALD210804具有高输入阻抗（2.5 × 10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。
商品特性
- 功率MOS 7型快速恢复外延二极管场效应晶体管(FREDFET)
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 内置热敏电阻用于温度监测
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源