D1216ECMDXGJD-U

2G bits DDR3L SDRAM，采用双数据速率架构和8位预取流水线架构，支持双向差分数据选通，具备多种功能和特性

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描述: IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
品牌名称: Kingston(金士顿)
商品型号: D1216ECMDXGJD-U
商品编号: C17535317
商品封装: FBGA-96(7.5x13.5)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1.261克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	0℃~+95℃
	功能特性	自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

容量：2G比特组织形式：封装：96球FBGA，无铅（符合RoHS标准）且无卤电源：1.35V（典型值） 16M字×16比特×8个存储体 VDD、VDDQ = 1.283V至1.45V 向后兼容VDD、VDDQ = 1.5V ± 0.075V 数据速率：2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps/1333Mbps（最大值） 2KB页大小行地址：A0至A13 列地址：A0至A9 八个内部存储体用于并发操作突发长度（BL）：8和4，带突发分割（BC）突发类型（BT）：顺序（8、4带BC）、交错（8、4带BC）可编程/CAS（读）延迟（CL）可编程/CAS写延迟（CWL）预充电：每次突发访问有自动预充电选项驱动强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240Ω）刷新：自动刷新、自刷新刷新周期：平均刷新周期：在0°C ≤ 温度 ≤ +85°C时为7.8μs 在+85°C ≤ 温度 ≤ +105°C时为3.9μs 工作外壳温度范围： 0°C至+95°C（商业温度） -40°C至+95°C（工业温度）

商品特性

双数据速率架构：每个时钟周期进行两次数据传输
高速数据传输通过8比特预取流水线架构实现
双向差分数据选通（DQS和/DQS）与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
DQS在读取时与数据边缘对齐；在写入时与数据中心对齐
差分时钟输入（CK和/CK）
DLL使DQ和DQS转换与CK转换对齐
在每个正CK边缘输入命令；数据和数据掩码参考DQS的两个边缘
用于写入数据的数据掩码（DM）
通过可编程附加延迟发布/CAS，以提高命令和数据总线效率
片上终结（ODT）以提高信号质量
同步ODT
动态ODT
异步ODT
多用途寄存器（MPR）用于预定义模式读出
DQ驱动和ODT的ZQ校准
自动自刷新（ASR）
/RESET引脚用于上电序列和复位功能
SRT范围：正常/扩展
可编程输出驱动阻抗控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3L SDRAM
	时钟频率(fc)	933MHz
	存储容量	2Gbit
	工作电压	1.283V~1.45V