IS43LR16128B-5BLI
2Gb(x16,x32) 移动型 DDR SDRAM
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- 描述
- IS43/46LR16128B/32640B 是 2,147,483,648 位 CMOS 移动双倍数据速率同步 DRAM,组织为 4 个 128 兆字的 16 位或 64 兆字的 32 位bank。该产品使用双数据率架构实现高速操作,数据输入/输出信号在 16 位或 32 位总线上传输。双数据率架构本质上是一个 2V 预取架构,参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部流水线化,2n 位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS43LR16128B-5BLI
- 商品编号
- C17535335
- 商品封装
- TFBGA-60(8x10)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 208MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 95mA | |
| 刷新电流 | 3.5mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新;内置温度传感器;自动预充电功能;数据掩码功能 |
- IS43LR16320C-6BL
- IS46R16160D-5BLA1
- IS43QR16256B-083RBL
- SI5338B-B02422-GM
- SI5338P-B08314-GMR
- AS4C512M8D4-75BCNTR
- SI5338K-B12696-GM
- EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
- AS4C512M8D4-75BCN
- RC19008A100GND#KB0
- SI5334C-B13854-GMR
- IS43LD32800B-25BLI-TR
- SI5324C-C-GMR
- 841S102EGILFT
- SI5338A-B07455-GMR
- SI5338C-B02373-GMR
- IS66WVO32M8DALL-200BLI
- 3412-10250
- 0461-1-15-80-21-84-04-0
- MS3437B22N
- R414

