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NDL16PFJ-9MIT TR

1Gb (x16) DDR3/3L同步动态随机存取存储器

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描述: 1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。
品牌名称: Insignis
商品型号: NDL16PFJ-9MIT TR
商品编号: C17535321
商品封装: FBGA-96(8x13)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.414克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接

商品概述

1Gb双倍数据速率3（DDR3/3L）SDRAM采用双数据速率架构，以实现高速运行。它内部配置为八组DRAM。 1Gb芯片组织为8Mbit x 16个I/O x 8组设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1866Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3完全向后兼容。所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）锁存。所有I/O以源同步方式与差分DQS对同步。这些设备使用单一的+1.35V -0.067V/+0.1V电源供电，采用BGA封装。 DDR3L SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为八组DRAM。它采用8n预取架构以实现高速运行。8n预取架构与接口相结合，可在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。DDR3L SDRAM的单次读写操作包括在内部DRAM核心进行一次8n位宽、四个时钟的数据传输，以及在I/O引脚进行两次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。对DDR3L SDRAM的读写操作是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程序列以八个突发长度或四个“截断”突发长度继续。操作从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。

商品特性

符合JEDEC标准
符合AEC - Q100标准
电源：VDD和VDDQ = +1.35V
向后兼容VDD和VDDQ = +1.5V ± 0.075V
工作温度范围：
- 扩展测试（ET）：TC = 0 ~ 95°C
- 工业级（IT）：TC = -40 ~ 95°C
- 汽车级（AT）：TC = -40 ~ 105°C
支持JEDEC时钟抖动规范
全同步操作
快速时钟速率：800/933MHz
差分时钟，CK和CK#
双向差分数据选通
DQS和DQS#
8个内部组用于并发操作
8n位预取架构
流水线内部架构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
附加延迟（AL）：0，CL - 1，CL - 2
可编程突发长度：4，8
突发类型：顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
平均刷新周期：
- 8192周期/64ms（在 - 40°C ≤ Tc ≤ +85°C时为7.8us）
- 8192周期/32ms（在 +85°C ≤ Tc ≤ +95°C时为3.9us）
写电平调整
ZQ校准
动态ODT（Rtt_Nom和Rtt_WR）
符合RoHS标准
自动刷新和自刷新
当TC > 95°C时不支持自刷新功能
96球7.5×13×1.0mm FBGA封装
无铅和无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3 SDRAM
	时钟频率(fc)	933MHz
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.283V~1.45V