DMN3035LWN-13
2个N沟道 电流:5.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3035LWN-13
- 商品编号
- C17534764
- 商品封装
- VDFN3020-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 399pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-直流电机控制-直流-交流逆变器
- AXM-SFP10G-ER-C
- 0936070047
- 09140009921
- FI-W5P-HFE-E1500
- GCM0335C1E2R2CA16J
- 680S5W5103L201
- 3QHM53C2.0-26.600
- 7-1589488-2
- SG-8018CG 124.5650M-TJHSA0
- W3011A-K
- 516-120-541-365
- S-816A32AMC-BAHT2U
- SML4758AHE3_A/I
- 185D24
- 516-120-000-402
- N681386DG TR
- SRP7050AA-1R0M
- SS14M2G5
- SIT8208AC-GF-18S-65.000000T
- 1724470408
- SG-8018CB 103.6150M-TJHSA0

